【导语】紫光国芯发布自主研发PSRAM芯片系列，为物联网等设备提供高效存储解决方案7月1日，紫光国芯宣布其自主研发的PSRAM芯片系列正式面世。该系列芯片兼容主流接口协议，容量多样，速度提升，并支持多种低功耗模式，可广泛应用于物联网、穿戴电子及端侧AI产品，满足复杂应用场景需求(qiú)。
7 月(yuè) 1 日(rì)消(xiāo)息(xi)，紫(zǐ)光(guāng)国(guó)芯(xīn)官(guān)宣(xuān)，其(qí)自主研发的PSRAM（注：伪静态随机存储器）芯片系列产品正式发布。
此次上新的 PSRAM 产品兼容业界主流接口协议 Xccela，容量覆盖 32Mb、64Mb 和 128Mb，采用 BGA24L 超薄封装，同时也支持 KGD 产品形式。该系列产品可为物联网设备、穿戴电子产品和端侧 AI 产品打造存(cún)储(chǔ)解(jiě)决(jué)方(fāng)案(àn)。
紫(zǐ)光(guāng)国(guó)芯(xīn) PSRAM 产(chǎn)品(pǐn)在进一步实现芯片尺寸紧凑的同时，将产品速度提升至 1066Mbps，可实现最高 17.06Gb/s 的带宽性能；还可支持在线动态可配置 X8、X16 模式，以适配不同应用的需求。
为满足物联网终端设备对长续航的需求，紫光国芯 PSRAM 系列产品支持包括 Half Sleep 的低功耗设计，主力产品支持常规 1.8v 低压供电，即将上市的 256Mb PSRAM 新品可支持 1.8v&1.2v 双压和 1.2v DVFS0.6v 两种超低功耗模式。
此外，基于工规级宽温域的设计，该系列产品可适应物联网、智能穿戴等各类复杂应用场景的多样化需求。
